Магнетронное напыление
На постоянном токе и ВЧ: металлы, сплавы, прозрачные проводящие слои, диэлектрики.

Установки напыления, химического и атомно-слоевого осаждения, травления и отжига — разработка по ТЗ и поставка.
На постоянном токе и ВЧ: металлы, сплавы, прозрачные проводящие слои, диэлектрики.

Оксиды, нитриды и карбиды из металлической мишени в среде кислорода или азота.

Плотные гладкие слои с точной толщиной для оптики и многослойных структур.

Металлические контакты и органические слои OLED — щадящий способ нанесения в вакууме.

Тугоплавкие металлы и оксиды с высокой скоростью и чистотой слоя.

Вольфрам, кремний, нитриды и карбиды из газообразных реагентов на нагретой подложке.

Прямой впрыск раствора прекурсора: оксиды, легированные и многокомпонентные слои.

Термическое и плазменное АСО: сплошные плёнки заданной толщины на рельефе, в порах и на порошках.

Вытягивание, центрифугирование и распыление: фоторезист, лаки, золь-гель слои.

Удаление оксидов, влаги и органики с подложки в вакууме перед нанесением покрытия.

Оксид и нитрид кремния, кремний, тугоплавкие металлы, удаление фоторезиста.

Термообработка пластин и дисков до 1200 °C в вакууме и защитной атмосфере.

Откачка и наполнение газовой смесью, намагничивание, дрейф лития, контроль прогиба пластин.

Разрабатываем установки по техническому заданию или подбираем и поставляем готовое оборудование для микроэлектроники, СВЧ-техники, оптики, электровакуумных приборов и защитных покрытий. Газовая система — подача газов и прекурсоров, смешение, безопасность, очистка выхлопа — наша основная специализация, поэтому её делаем сами под каждый процесс.
| Метод | Суть | Типичные материалы |
|---|---|---|
| Магнетронное (DC и ВЧ) | распыление мишени ионами аргона в разряде с магнитным полем | Al, Cu, Ti, Cr, Mo, W, NiCr, ITO; ВЧ — SiO₂, Al₂O₃ |
| Реактивное ионно-плазменное | распыление металла в смеси аргона с O₂ или N₂ | TiN, AlN, TaN, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂ |
| Ионно-лучевое | мишень распыляет пучок из отдельного ионного источника | многослойная оптика, магнитные структуры |
| Термическое испарение | нагрев материала в вакууме до испарения | Al, Ag, Au, органика OLED, LiF |
| Электронно-лучевое испарение | плавление материала электронным пучком | Ti, Pt, W, Ta, SiO₂, TiO₂, HfO₂ |
| Метод | Суть | Типичные материалы |
|---|---|---|
| CVD | реакция газообразных реагентов на нагретой подложке | W, поли-Si, Si₃N₄, SiO₂, SiC |
| CVD из аэрозоля (DLICVD) | импульсный впрыск раствора прекурсора | SnO₂:Sb, HfO₂, сложные оксиды |
| АСО / ALD / молекулярное наслаивание | поочерёдные насыщающиеся реакции, слой за циклом; термическое и плазменное | Al₂O₃, HfO₂, TiO₂, ZnO, TiN, AlN |
| Нанесение из раствора | вытягивание, центрифугирование, распыление и сушка | фоторезист, лаки, золь-гель оксиды |
| Метод | Суть | Типичные материалы |
|---|---|---|
| Ионная очистка | распыление загрязнений и оксидов ионами перед нанесением | — |
| Плазмохимическое травление | летучие продукты реакции с радикалами плазмы | SiO₂, Si₃N₄, Si, W, Mo, фоторезист |
| Вакуумный отжиг | нагрев по режиму в вакууме или защитной атмосфере до 1200 °C | пластины Si, диски Mo, контакты |
Пришлите описание задачи — материал слоя, подложки, толщину, производительность — через форму ниже: предложим метод, состав установки и газовой системы.
См. также: ALD, CVD и HVPE системы · нанесение покрытий на детали.
Инженер перезвонит, уточнит параметры и подготовит предложение. ТЗ или опросный лист можно отправить на почту.