ISKRA Отправить запрос

Оборудование для микроэлектроники и покрытий

Установки напыления, химического и атомно-слоевого осаждения, травления и отжига — разработка по ТЗ и поставка.

CVD из аэрозоля (DLICVD)

Прямой впрыск раствора прекурсора: оксиды, легированные и многокомпонентные слои.

CVD из аэрозоля (DLICVD)

Ионная очистка

Удаление оксидов, влаги и органики с подложки в вакууме перед нанесением покрытия.

Ионная очистка

Вакуумный отжиг

Термообработка пластин и дисков до 1200 °C в вакууме и защитной атмосфере.

Вакуумный отжиг

Специальные установки

Откачка и наполнение газовой смесью, намагничивание, дрейф лития, контроль прогиба пластин.

Специальные установки

Методы нанесения и обработки

Разрабатываем установки по техническому заданию или подбираем и поставляем готовое оборудование для микроэлектроники, СВЧ-техники, оптики, электровакуумных приборов и защитных покрытий. Газовая система — подача газов и прекурсоров, смешение, безопасность, очистка выхлопа — наша основная специализация, поэтому её делаем сами под каждый процесс.

Физическое осаждение в вакууме (PVD)

МетодСутьТипичные материалы
Магнетронное (DC и ВЧ)распыление мишени ионами аргона в разряде с магнитным полемAl, Cu, Ti, Cr, Mo, W, NiCr, ITO; ВЧ — SiO₂, Al₂O₃
Реактивное ионно-плазменноераспыление металла в смеси аргона с O₂ или N₂TiN, AlN, TaN, TiO₂, Al₂O₃, ZrO₂
Ионно-лучевоемишень распыляет пучок из отдельного ионного источникамногослойная оптика, магнитные структуры
Термическое испарениенагрев материала в вакууме до испаренияAl, Ag, Au, органика OLED, LiF
Электронно-лучевое испарениеплавление материала электронным пучкомTi, Pt, W, Ta, SiO₂, TiO₂, HfO₂

Химическое осаждение

МетодСутьТипичные материалы
CVDреакция газообразных реагентов на нагретой подложкеW, поли-Si, Si₃N₄, SiO₂, SiC
CVD из аэрозоля (DLICVD)импульсный впрыск раствора прекурсораSnO₂:Sb, HfO₂, сложные оксиды
АСО / ALD / молекулярное наслаиваниепоочерёдные насыщающиеся реакции, слой за циклом; термическое и плазменноеAl₂O₃, HfO₂, TiO₂, ZnO, TiN, AlN
Нанесение из растворавытягивание, центрифугирование, распыление и сушкафоторезист, лаки, золь-гель оксиды

Подготовка и обработка

МетодСутьТипичные материалы
Ионная очисткараспыление загрязнений и оксидов ионами перед нанесением
Плазмохимическое травлениелетучие продукты реакции с радикалами плазмыSiO₂, Si₃N₄, Si, W, Mo, фоторезист
Вакуумный отжигнагрев по режиму в вакууме или защитной атмосфере до 1200 °Cпластины Si, диски Mo, контакты

Как выбрать метод

  • металлизация и проводящие слои — магнетронное напыление или электронно-лучевое испарение
  • оксиды и нитриды на плоских подложках — реактивное или ВЧ-распыление
  • сплошной слой на рельефе, в порах, на порошках — атомно-слоевое осаждение
  • толстые плотные слои тугоплавких материалов — CVD
  • многослойная оптика — ионно-лучевое нанесение или электронно-лучевое испарение с ассистированием
  • органическая электроника — термическое испарение с перчаточным боксом

Пришлите описание задачи — материал слоя, подложки, толщину, производительность — через форму ниже: предложим метод, состав установки и газовой системы.

См. также: ALD, CVD и HVPE системы · нанесение покрытий на детали.

Опишите задачу

Инженер перезвонит, уточнит параметры и подготовит предложение. ТЗ или опросный лист можно отправить на почту.

Режим работы
Пн–Пт, 9:00–18:00
Перезвоним в рабочее время