Ионная очистка

Даже вымытая подложка несёт на поверхности адсорбированную влагу, остатки органики и оксидную плёнку. Если нанести покрытие поверх, оно будет плохо держаться и может отслоиться. Ионная очистка удаляет эти слои прямо в вакуумной камере, непосредственно перед нанесением, без контакта подложки с воздухом.

Как это делают

• ионным источником — пучок ионов аргона с энергией в сотни электронвольт распыляет поверхностный слой
• ВЧ-разрядом на подложкодержателе — подложка сама становится электродом и бомбардируется ионами плазмы
• тлеющим разрядом — мягкая очистка больших деталей

Состав газа подбирают под загрязнение: аргон — для физического распыления, добавка кислорода — для органики, водорода — для восстановления оксидов.

Что даёт

• адгезия покрытия, достаточная для механической нагрузки и термоциклирования
• низкое контактное сопротивление металлизации
• повторяемый результат без химической мойки между операциями

На что обратить внимание

Энергия и доза ионов подбираются так, чтобы не нагреть и не повредить подложку и не переосадить распылённый материал со стенок и оснастки. Источник очистки обычно ставят в ту же камеру, что и магнетроны или испарители, либо в шлюзовую камеру.

Газовая часть

Аргон, кислород и водородсодержащие смеси через регуляторы расхода малого диапазона; для водорода — контроль утечек.

Установка

1. 

   Система нанесения тонких плёнок

   Три камеры, шесть источников. Образцы загружаются и выгружаются через перчаточный бокс в инертной атмосфере — для органической электроники, где материалы портятся на воздухе.

   • магнетроны постоянного тока и ВЧ
   • ионная очистка и ионно-лучевое нанесение
   • термическое и электронно-лучевое испарение

Газовую часть установки проектируем и изготавливаем сами: газовые панели, регуляторы расхода, газобаллонные шкафы, очистку выхлопа и газобезопасность.