ALD покрытия

Профессиональные услуги контрактного производства (OEM/Foundry)

Обладая крупнейшим парком прецизионного технологического оборудования, мы предоставляем профессиональные услуги по нанесению тонкопленочных покрытий по техническому заданию заказчика.

Особые технологические требования к присылаемым образцам (Важно!)

Для соблюдения чистоты вакуумных камер и обеспечения высокого качества пленок, все образцы заказчика должны строго соответствовать следующим техническим критериям:

• Предельная чистота : Поверхность образцов должна быть абсолютно чистой, свободной от масел, пыли и жировых загрязнений.
• Физические свойства : Материал подложек должен быть термостойким, нетоксичным, химически стабильным при температуре процесса, не выделять газов в вакууме и не крошиться (не образовывать порошковую пыль).
• Ограничение по диффузии : Для некоторых высокотемпературных режимов напыления действуют строгие ограничения по диффузии меди ( Cu ) и других подвижных примесей.
• Строжайший запрет на маркеры : Категорически запрещается маркировать образцы какими-либо маркерами (Mark-pen)! Внутренний состав чернил испаряется под вакуумом и вызывает фатальное перекрестное загрязнение реакционной камеры.
• Отсутствие органики : На подложках полностью должны отсутствовать следы любых летучих органических веществ.
• Вакуумная упаковка : Напыляемые образцы должны пересылаться в чистой двухслойной вакуумной упаковке.
• Исключение трения поверхностей : Категорически избегайте контакта рабочей поверхности образцов с беспылевой бумагой (обеспыливающими салфетками) или иными ворсистыми материалами во избежание микроцарапин.
• Запрет на клейкую фиксацию : Категорически запрещено фиксировать образцы двусторонним скотчем или клейкой лентой (их невозможно отделить без остаточных следов клея).
• Профессиональная тара : Пересылку кремниевых пластин необходимо осуществлять только в специализированных пластиковых боксах (Silicon Wafer Boxes) или гелевых самоадгезионных боксах (Gel-pak / Self-adhesive boxes).

Технические спецификации литейных (Foundry) процессов:

А. Слоевое осаждение ALD на установках BENEQ (Финляндия), 8 дюймов — Доступно из 4 установки

• Диапазон осаждаемых материалов:

• Оксиды металлов: Al₂ O₃, SiO 2, ZnO, HfO 2, ZrO 2, In 2 O₃, TiO 2, Y 2 O₃, Ga₂ O₃.
• Нитриды: AlN, TiN .
• Благородные металлы: Платина ( Pt ).
• Сложные наноламинаты и твердые растворы: Цирконат-гафнат ( HZO ), оксид индия-галлия-цинка ( IGZO ) и др.
• Допустимый размер подложек : до 8 дюймов включительно (включая мелкие фрагменты и детали сложной формы).

Б. Слоевое осаждение ALD на крупногабаритной установке BENEQ (Финляндия), 12 дюймов — 1 установка

• Осаждаемые материалы : Оксид алюминия ( Al₂ O₃), Диоксид титана ( TiO 2).
• Максимальная разовая загрузка за цикл : до 12 подложек диаметром 4 дюйма или до 6 подложек диаметром 8 дюймов.

В. Высококонформное химическое осаждение CVD на промышленной установке ULVAC (Япония)

• Осаждаемые материалы : Диоксид кремния ( SiO 2), Нитрид кремния ( SiN ).
• Допустимый размер подложек : до 8 дюймов включительно.

Г. Термическое вакуумное испарение металлов

• Напыляемые материалы : Медь ( Cu ), Никель ( Ni ), Алюминий ( Al ) и др.
• Драгоценные металлы : Серебро ( Ag ), Золото ( Au ) — по специальному согласованию.
• Допустимый размер подложек : до 4 дюймов включительно.

Д. Высокоадгезионное магнетронное напыление (Magnetron Sputtering) на крупной установке ULVAC (Япония)

• Напыляемые пленки : Оксид индия-олова ( ITO ), оксид индия-галлия-цинка ( IGZO ), молибден ( Mo ), титан ( Ti ), алюминий ( Al ).
• Благородные металлы : Золото ( Au ), Платина ( Pt ) — по специальному согласованию.
• Допустимый размер подложек : до 6 дюймов включительно.

Защитные и барьерные свойства пленок (Кейс инкапсуляции OLED)

Пленки, нанесенные методом ALD на нашем оборудовании, обладают исключительными барьерными свойствами против проникновения влаги и кислорода (Ultra-high moisture barrier). Испытания OLED во влажной и жаркой среде (ускоренное старение, 550 часов): Органический светодиод OLED сохраняет идеальную работоспособность без деградации благодаря барьерному ALD-слою.

Испытания OLED на влагостойкость (550 часов)

Электрические характеристики диэлектриков

Графики плотности токов утечки (Leakage current density) для тонких пленок HfO2, полученных с помощью различных прекурсоров кислорода (H₂O и специализированный HyALD), демонстрируют экстремально низкие паразитные токи проводимости, что подтверждает высокое качество и однородность структуры.

Графики токов утечки HfO2

Стоимость услуги ALD покрытий компонентов газовых систем

Фото и чертежи