ALD системы

Добро пожаловать в область передовых ALD технологий.

Компания «ISKRA Engineering» в содружестве и при поддержке Первого всероссийского Инжинирингового центра технологии молекулярного наслаивания (ПВИЦТМН) переосмысливает традиционное атомно-слоевое осаждение, обеспечивая высококачественные 100% конформные покрытия с беспрецедентной производительностью — делая ALD вашим первым выбором для решений по нанесению тонких пленок с нужным функционалом.

Области применения ALD

Энергетика, Аэрокосмические силовые установки	ALD покрытие термической защиты TBC газотурбинных лопаток GE, Mitsubishi, Solar Gas Turbine Siemense, Зоря-Машпроект, ЗТЛ и Силовых машин
Медицина, Хирургия	ALD покрытие TiO2 имплантатов и эндо протезов из Ti₆Al4V и Ti₆Al7Nb, возможно покрытие и шовного материала
Фармацевтика	ALD функциональные покрытия порошков
Полупроводниковая промышленность	Вольфрамовые ALD/CVD технологии до 45 нм/55 нм Барьерные 10А слои нитрид тантала(TaN) для медной металлизации МЭМС
Аддитивное производство	ALD покрытие с заданным функционалом исходного сыпучего сырья для 3D печати объектов с уникальными свойствами
Катализаторы	ALD покрытие сыпучего катализатора для кратного увеличения эффективности
Оптика	ALD просветляющие покрытия
Аккумуляторы	ALD защита анодов аккумуляторах
Электроника	Cветодиоды
Высокоэффективные магниты	ALD покрытие для создания высокоэффективных магнитов
Электролюминесцентные плоские панельные дисплеи	Первое промышленное применение ALD технологии: тонкопленочный электролюминесцентный дисплей на ALD люминофоре ZnS:Mn

ALD(Atomic Layer Deposition) или Атомно слоевое осаждение(АСО) относится к группе методов ХОГФ(Химическое осаждение из Газовой Фазы) и отличается высокой сплошностью и стабильностью. Метод ALD существенно отличается от CVD метода:

ALD использует два материала-прекурсора для создания нанопленки. Отличие ALD от других методов CVD заключается в том, что разные прекурсоры никогда не присутствуют в реакционной камере одновременно — они осаждаются последовательно.
ALD также является типом послойного (LbL) метода и часто используется для создания пленок с несколькими атомными слоями, тогда как CVD обычно используется для однослойных пленок. Как только один из прекурсоров был нанесен по всей поверхности, следующий материал прекурсора наслаивается сверху, где он вступает в реакцию с первым нанесенным материалом, создавая химически связанную многослойную пленку. Этот процесс повторяется до тех пор, пока не будет достигнута желаемая толщина.
Другое ключевое отличие ALD от CVD заключается в том, что реакция проводится в контролируемом диапазоне температур, тогда как CVD использует высокие температуры для испарения материала. И хотя этим процессом легче управлять, он требует гораздо большего опыта и контроля за процессом.

На сегодня ALD является единственным методом построения нанесения тонких слоёв в т.ч. оксида гафния. Синтезируемые тонкие пленки различных химических соединений в виде оксидов (HfO2, Al₂O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta₂O5, In₂O3, SnO2, ZnO, CdO, V2O5, WO3 и др.), нитридов (BN, AlN, GaN, InN, SiNx, Ta₃N5, Cu3N, Zr3N4, TiN, TaN, NbN, MoN и др.), соединений АIIBVI (ZnS, CdS, ZnSe, ZnTe, CaS, SrS, BaS, CdTe, MnTe, HgTe и др.), соединений AIIIBV (GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs), металлов (Pt, Ir, Pd, Ag, Au, W, Cu, Co, Fe, Ni, Mo, Ta, Ti, Al, Si, Ge) и их комбинаций отличаются высокой сплошностью, адгезией и однородностью.

Методом ALD возможно покрывать подложки сложной формы и большой поверхности однородным по толщине слоем синтезируемого вещества, что является его уникальным отличием от всех известных способов нанесения тонких пленок. Воспроизводимый на атомном уровне процесс роста позволяет получать пленки заданной толщины с точностью до монослоя, в том числе с чередованием слоев различных химических соединений.

Основные отличительные характеристики ALD покрытия

Параметр	ALD	молекулярно-лучевая эпитаксия	химическое осаждение из газовой фазы	магнетронное распыление	термическое испарение
однородность толщины	превосходная	хорошая	хорошая	приемлемая	приемлемая
плотность пленки	хорошая	хорошая	хорошая	приемлемая	хорошая
покрытие рельефных ступенек	полное	зависит от процесса	неполное	неполное	неполное
адгезия между пленкой и образцом	хорошая	зависит от процесса	плохая	плохая	зависит от процесса
осаждение при низкой температуре	зависит от процесса	зависит от процесса	зависит от процесса	зависит от процесса	зависит от процесса
скорость осаждения	зависит от процесса	хорошая	хорошая	хорошая	хорошая
осаждение в промышленном производстве	используется	используется	используется	используется	редко используется

Установки ALD Финляндии и США

На сегодня пока лидерами в области ALD систем для тонкопленочных покрытий являются компании PICOSUN (Финляндия) в составе Applied Materials (США) и BENEQ (Финляндия).

Прототип	Аналог	Подложка	Температура	Качество	Прекурсоры
PICOSUN® Morpher F ALD	ИСКРА МН 300	100, 150, 200 мм	до 300 °C	Неоднородность в партии до <1% 1σ	Жидкие, твердые, газообразные до 12
PICOSUN® Sprinter ALD	ИСКРА МН 400	300 мм с одно/двухсторонним покрытием	до 400 °C	Неоднородность в партии < 0.3 % 1σ	Жидкие, твердые, газообразные до 4
ALD PICOSUN® P-300B	ИСКРА МН 500	100, 150, 200, оптические компоненты и вживляемые устройства	до 500 °C	Неоднородность в партии до <1% 1σ	Жидкие, твердые, газообразные до 7
PICOSUN® R-200	ИСКРА МН 650	3D объекты, пористые порошки и структуры	до 650°C	Поштучная паспортизация на базе FTIR и Эллипсометра	Жидкие, твердые, газообразные до 12

Возможно производство гибких технологических ALD/CVD систем совместимых с платформами Applied Materials на 300 мм .

Пример типичной конфигурации процесса металлизации 45 нм Applied Materials.

ALD установки Китая

ALD система	Тип ALD системы	Техническое описание	Примечания
\| Spatial Atomic Layer Deposition (пространственное атомно-слоевое осаждение) Области применения: Энергетика: Солнечные элементы, Топливные элементы, Электролизеры, Аккумуляторы Электроника: Гибкие дисплеи, Память, Логические схемы, Сенсорные устройства Промышленность: Защитные покрытия, Барьерные слои, Каталитические покрытия,Антикоррозийные покрытия	Эта модель разработана специально для требований к боковой пассивации в фотоэлектрической отрасли. Принцип работы — пространственный пластинчатый возвратно-поступательный механизм с производительностью 28 000 пластин в час. Конкретные технические характеристики обсуждаются. Технологические особенности: Температурный режим: 100-350°C Толщина пленок: от субнанометровых до десятков нанометров Разрешение: около 1 нм Типы материалов: оксиды металлов, нитриды, различные функциональные покрытия	Ключевые преимущества Высокая производительность: скорость осаждения в 100-300 раз выше классической ALD Масштабируемость: возможность обработки крупных подложек и гибких материалов Экономичность: минимальное расходование прекурсоров Атмосферное давление: отсутствие необходимости в вакууме Универсальность: работа с различными материалами и подложками Непрерывный процесс производства Гибкость в выборе подложек Совместимость с рулонной технологией (Roll-to-Roll) Точное управление толщиной пленки, р авномерность покрытия

Энергетика: Солнечные элементы, Топливные элементы, Электролизеры, Аккумуляторы
Электроника: Гибкие дисплеи, Память, Логические схемы, Сенсорные устройства
Промышленность: Защитные покрытия, Барьерные слои, Каталитические покрытия,Антикоррозийные покрытия
Высокая производительность: скорость осаждения в 100-300 раз выше классической ALD
Масштабируемость: возможность обработки крупных подложек и гибких материалов
Экономичность: минимальное расходование прекурсоров
Атмосферное давление: отсутствие необходимости в вакууме
Универсальность: работа с различными материалами и подложками
Непрерывный процесс производства
Гибкость в выборе подложек
Совместимость с рулонной технологией (Roll-to-Roll)
Точное управление толщиной пленки, р авномерность покрытия

| Multi- wafer batch ALD system (ALD система одновременного нанесения тонкопленочных покрытий на множество подложек (пластин) Области применения: Полупроводниковая промышленность: производство микросхем Оптоэлектроника: создание функциональных покрытий Фотовольтаика: обработка солнечных элементов Сенсорные технологии: нанесение чувствительных слоев

Реакционная камера: двухкамерная конструкция с боковым обдувом и дефлектором, основанная на технологии теплового излучения, обеспечивающая равномерность температуры. Оснащена блоком быстрого рассеивания газа для подавления CVD-подобных реакций, что обеспечивает качество пленки и повышает эффективность осаждения. Температура в камере: от комнатной до 500 °C, точность поддержания температуры ±0,5 °C. Конфигурация прекурсоров: жидкие, твердые, газообразные, источник озона; источник с подогревом (500 мл) с системой теплового излучения для предотвращения засорения; источник с комнатной температурой (500 мл). Вместимость подложек: 25 штук по 8 дюймов в партии, возможность использования подложек меньшего размера, возможность изготовления подложек по индивидуальному заказу размером 12 дюймов. Манометр: Inficon, диапазон измерения от 1000 до 2,5×10⁻⁴ Торр. Клапан: Fujikin, термостойкость 200 °C, опционально 300 °C. Регулятор массового расхода: Horiba, 0–1000 станд. куб. см/мин. Газ-носитель: N₂ или Ar. Вакуумный насос: коррозионностойкий масляный насос, сухой насос, конфигурация по запросу. Управление: ПК + ПЛК, опционально промышленный ПК. Характеристики пленки : нанесение al₂o₃ толщиной 50 нм на 8 — дюймовые кремниевые пластины, неоднородность внутри пластины < 1,5 %, неоднородность между пластинами < 1 % Поддерживаемые технологические решения : 16 — летний опыт разработки процессов и оборудования ALD, проверенные рецептуры, предоставляемые клиентам бесплатно, бесплатное техническое руководство

Принцип работы Система работает по технологии атомно-слоевого осаждения, которая обеспечивает: Последовательное нанесение сверхтонких слоев материала Точный контроль толщины пленки Высокую однородность покрытия Возможность обработки множества образцов одновременно Преимущества системы Масштабируемость: обработка большого количества подложек за один цикл Эффективность: сокращение времени производства Качество: сохранение высоких характеристик покрытия Экономичность: оптимизация затрат на материалы Технологические возможности Система позволяет наносить различные типы покрытий: Оксидные пленки (Al₂O₃, SiO₂, ZrO₂) Нитридные покрытия Металлические слои Сложные композитные структуры Особенности конструкции Двухкамерная система: минимизация времени продувки Система газораспределения: точное управление подачей прекурсоров Вакуумная система: обеспечение необходимых условий процесса Система нагрева: равномерный температурный режим

Полупроводниковая промышленность: производство микросхем
Оптоэлектроника: создание функциональных покрытий
Фотовольтаика: обработка солнечных элементов
Сенсорные технологии: нанесение чувствительных слоев
Последовательное нанесение сверхтонких слоев материала
Точный контроль толщины пленки
Высокую однородность покрытия
Возможность обработки множества образцов одновременно
Масштабируемость: обработка большого количества подложек за один цикл
Эффективность: сокращение времени производства
Качество: сохранение высоких характеристик покрытия
Экономичность: оптимизация затрат на материалы
Оксидные пленки (Al₂O₃, SiO₂, ZrO₂)
Нитридные покрытия
Металлические слои
Сложные композитные структуры
Двухкамерная система: минимизация времени продувки
Система газораспределения: точное управление подачей прекурсоров
Вакуумная система: обеспечение необходимых условий процесса
Система нагрева: равномерный температурный режим

| Dual- chamber cross- flow/ showerhead plasma- enhanced CCP- ALD (Система для плазменного атомно-слоевого осаждения, оснащенное двумя реакционными камерами и комбинированной системой подачи газов. Области применения: Полупроводниковая промышленность Производство МЭМС Создание диэлектрических слоев Нанесение барьерных покрытий Производство солнечных элементов

Реакционная камера: двухкамерная конструкция с боковым обдувом и дефлектором, основанная на технологии теплового излучения, обеспечивающая равномерность температуры. Оснащена блоком быстрого рассеивания газа для подавления CVD-подобных реакций, что обеспечивает качество пленки и повышает эффективность процесса. Температура в камере: от комнатной до 500 °C, точность поддержания температуры ±0,5 °C. Тип источника радиочастотного излучения: конструкция с контролем параметров, мощность 0–1000 Вт (опционально).Конфигурация источника прекурсора: жидкий, твердый, газообразный, озоновый источник; источник с подогревом (500 мл) с системой теплового излучения для предотвращения засорения; источник с комнатной температурой (200 мл).Размер подложки: подходит для подложек размером до 20 см, возможна установка подложек размером до 30 см. Манометр: Inficon, диапазон измерения от 1000 до 2,5×10⁻⁴ Торр. Клапан: Fujikin, термостойкость 200 °C, опционально 300 °C. Регулятор массового расхода: Horiba, 0–1000 станд. куб. см/мин. Газ-носитель: N₂ или Ar. Вакуумный насос: коррозионностойкий масляный насос, сухой насос, в зависимости от требований. Управление: ПК + ПЛК, опционально промышленный ПК. Характеристики пленки : нанесение al₂o₃ толщиной 50 нм на 8 — дюймовую кремниевую пластину, неравномерность < 0,5 %, плотность тока утечки < 1 × 10-20 А / см2 при 3 МВ / см Дополнительно : блокировка нагрузки и другие функции, доступные в соответствии с требованиями заказчика . Поддерживаемые технологические решения : 16 — летний опыт разработки процессов и оборудования ALD, проверенные рецептуры, предоставляемые клиентам бесплатно, бесплатное техническое руководство

Основные компоненты Двухкамерная конструкция для минимизации времени продувки Cross-flow система — поперечная подача газов Showerhead система — подача через душевую головку Емкостная плазма (CCP) для активации процессов Принцип работы Система сочетает три ключевых технологии: Плазменная активация для снижения температуры процесса Cross-flow подача обеспечивает равномерное распределение прекурсоров Showerhead система гарантирует однородность покрытия Преимущества технологии Высокая однородность покрытия благодаря комбинированной подаче газов Улучшенная конформность на сложных поверхностях Низкотемпературный процесс за счет плазменной активации Повышенная скорость осаждения по сравнению с термическим ALD Минимальное загрязнение благодаря двухкамерной конструкции

Полупроводниковая промышленность
Производство МЭМС
Создание диэлектрических слоев
Нанесение барьерных покрытий
Производство солнечных элементов
Двухкамерная конструкция для минимизации времени продувки
Cross-flow система — поперечная подача газов
Showerhead система — подача через душевую головку
Емкостная плазма (CCP) для активации процессов
Плазменная активация для снижения температуры процесса
Cross-flow подача обеспечивает равномерное распределение прекурсоров
Showerhead система гарантирует однородность покрытия
Высокая однородность покрытия благодаря комбинированной подаче газов
Улучшенная конформность на сложных поверхностях
Низкотемпературный процесс за счет плазменной активации
Повышенная скорость осаждения по сравнению с термическим ALD
Минимальное загрязнение благодаря двухкамерной конструкции

| Двухкамерная боковая плазменная установка с распылительным диском — ICP‑ALD Где применяют ICP‑ALD: Полупроводниковая индустрия: затворы транзисторов, диэлектрики, барьерные слои, пассивация. Оптика и фотоника: конформные просветляющие и отражающие покрытия, многослойные фильтры. Энергетика: защитные и функциональные покрытия для электродов батарей, топливных элементов. Сенсоры: чувствительные слои с контролируемой толщиной и составом.

Реакционная камера: двухкамерная конструкция с боковым обдувом и дефлектором, основанная на технологии теплового излучения, обеспечивающая равномерность температуры. Оснащена блоком быстрого рассеивания газа для подавления CVD-подобных реакций, что обеспечивает качество пленки и повышает эффективность роста. Температура в камере: от комнатной до 500 °C, точность поддержания ±0,5 °C. Тип РХ: конструкция ICP, мощность 0–2000 Вт (опционально). Конфигурация прекурсоров: жидкие, твердые, газообразные, озоновые источники; источник с подогревом (500 мл) с конструкцией, обеспечивающей тепловое излучение для предотвращения засорения; источник с комнатной температурой (200 мл). Размер подложки: подходит для подложек размером до 20 см, возможна установка подложек размером до 30 см. Манометр: Inficon, диапазон измерения от 1000 до 2,5×10⁻⁴ Торр. Клапан: Fujikin, термостойкость 200 °C, опционально 300 °C. Регулятор массового расхода: Horiba, 0–1000 станд. куб. см/мин. Газ-носитель: N₂ или Ar. Вакуумный насос: коррозионностойкий масляный насос, сухой насос, конфигурация по запросу. Управление : ПК + ПЛК, промышленный ПК опционально Характеристики пленки : 50 нм al₂o₃, нанесенной на 8 — дюймовую кремниевую пластину, неоднородность < 0,5 %, плотность тока утечки < 1 × 10-20 А / см2 при 3 МВ / см Дополнительно : Блокировка загрузки и другие функции, доступные в соответствии с требованиями заказчика Поддерживаемые технологические решения : 16 — летний опыт работы с технологическими процессами и оборудованием ALD, бесплатные проверенные рецепты, бесплатное техническое руководство для клиентов .

Ключевые преимущества: Более низкие температуры осаждения по сравнению с термическим ALD — важно для полимеров, органических материалов, уже собранных чипов. Расширение списка осаждаемых материалов: оксиды, нитриды, карбиды, металлы и др. Улучшенные свойства плёнок: меньшая пористость, лучшая плотность, контроль стехиометрии, снижение содержания примесей (например, углерода или водорода). Высокая конформность на высокоаспектных структурах и 3D‑рельефах — актуально для микроэлектроники, MEMS, наноструктур.

Полупроводниковая индустрия: затворы транзисторов, диэлектрики, барьерные слои, пассивация.
Оптика и фотоника: конформные просветляющие и отражающие покрытия, многослойные фильтры.
Энергетика: защитные и функциональные покрытия для электродов батарей, топливных элементов.
Сенсоры: чувствительные слои с контролируемой толщиной и составом.
Более низкие температуры осаждения по сравнению с термическим ALD — важно для полимеров, органических материалов, уже собранных чипов.
Расширение списка осаждаемых материалов: оксиды, нитриды, карбиды, металлы и др.
Улучшенные свойства плёнок: меньшая пористость, лучшая плотность, контроль стехиометрии, снижение содержания примесей (например, углерода или водорода).
Высокая конформность на высокоаспектных структурах и 3D‑рельефах — актуально для микроэлектроники, MEMS, наноструктур.

| Двухкамерная система ALD с боковой обдувкой и распылительным диском Области применения: Полупроводниковая промышленность Производство МЭМС Создание диэлектрических слоев Нанесение барьерных покрытий Производство солнечных элементов Оптические просветляющие покрытия

Реакционная камера: двухкамерная конструкция с боковым обдувом и дефлектором, основанная на технологии теплового излучения, обеспечивающая равномерность температуры. Оснащена блоком быстрого рассеивания газа для подавления CVD-подобных реакций, что обеспечивает качество пленки и повышает эффективность процесса. Температура в камере: от комнатной до 500 °C, точность поддержания ±0,5 °C. Конфигурация прекурсоров: жидкие, твердые, газообразные, озоновые источники; нагреваемый источник (500 мл) с конструкцией, обеспечивающей тепловое излучение для предотвращения засорения; источник с комнатной температурой (200 мл). Размер подложки: подходит для подложек размером до 20 см, возможна установка подложек размером до 30 см. Манометр: Inficon, диапазон измерения от 1000 до 2,5×10⁻⁴ Торр. Клапан: Fujikin, термостойкость 200 °C, опционально 300 °C. Регулятор массового расхода: Horiba, 0–1000 станд. куб. см/мин. Газ-носитель: N₂ или Ar. Вакуумный насос: коррозионностойкий масляный насос, сухой насос, конфигурация по запросу. Управление: ПК + ПЛК, опционально промышленный ПК. Дополнительно: Loadlock и другие функции по запросу. Поддерживаемые технологические решения : 16 — летний опыт разработки процессов и оборудования ALD, проверенные рецептуры, предоставляемые клиентам бесплатно, бесплатное техническое руководство

Система работает по следующему принципу: Первая камера отвечает за подготовку и очистку подложек Вторая камера выполняет процесс осаждения материала Минимальное время продувки между этапами Высокая степень изоляции процессов Ключевые преимущества Минимизация перекрестных загрязнений благодаря разделению процессов Сокращение времени продувки между циклами Повышенная чистота осаждаемых пленок Улучшенный контроль процесса осаждения Высокая однородность покрытия Типы двухкамерных систем Термические системы с радиальным распределением газов Системы с душем (Showerhead) Плазменные установки с CCP-активацией ICP-системы с индуктивной плазмой Технические характеристики Температурный диапазон: от комнатной до 450-500°C Размер подложек: до 8 дюймов (возможно расширение до 12 дюймов) Точность температуры: ±0,5°C Вакуумная система: до 10⁻⁴ Торр Типы прекурсоров: жидкие, твердые, газообразные Области применения Полупроводниковая промышленность Производство МЭМС Создание диэлектрических слоев Нанесение барьерных покрытий Производство солнечных элементов Технологические возможности Система позволяет наносить: Оксидные покрытия (Al₂O₃, SiO₂, HfO₂) Нитридные пленки (TiN, AlN) Металлические слои Сложные композитные структуры

Полупроводниковая промышленность
Производство МЭМС
Создание диэлектрических слоев
Нанесение барьерных покрытий
Производство солнечных элементов
Оптические просветляющие покрытия

Идеальная однородность распределения толщины пленок

Использование запатентованного реактора с душевой головкой (Showerhead) обеспечивает революционные показатели однородности на 8-дюймовых пластинах: Неоднородность пленки Al₂ O₃ на 8″ кремнии составляет всего 0,26%! Распределение однородности ALD покрытия с душевой головкой

Зрелые технологические процессы и решения

Наши системы поставляются с полностью отработанными технологическими рецептами (Recipe Packages) под ключ:

IGZO-TFT : Готовое технологическое решение для создания высокоподвижных тонкопленочных транзисторов на основе оксида индия-галлия-цинка.
Материалы High-k и оксиды : Высококачественные пленки диэлектриков ( Al₂ O₃, HfO 2, ZrO 2, TiO 2) с контролируемой толщиной и низким током утечки.
Сегнетоэлектрические пленки : Технология осаждения тонких пленок наноламинатов цирконата-гафната иттрия ( ZrO 2- HfO 2 / HZO ) для устройств энергонезависимой памяти FeRAM.
Низкоомный нитрид титана ( TiN ) : Оптимальное решение для барьерных слоев интегральных схем и электродов.
Recipe для сверхвысоких Aspect Ratio : Специализированные циклы диффузии прекурсора для равномерного напыления глубоких 3D микроканавок (High aspect ratio trenches).
Кастомизация под нестандартные подложки : Разработка индивидуальных зажимных устройств и геометрии реактора для трехмерных деталей.
Антикоррозионные покрытия : Осаждение диоксида иттрия ( Y 2 O₃) высокой плотности для химической защиты деталей плазменных реакторов.
Молекулярно-слоевое осаждение (MLD) : Нанесение гибридных органическо-неорганических молекулярных полимерных слоев.
Металлические процессы ALD : Высококачественное осаждение благородных и тугоплавких металлов ( Pt, Ru, Cu, W, Ir ).
Процессы вторичной электронной эмиссии (Secondary Electron Emission coatings).
Низкотемпературные бездефектные процессы осаждения на пластики и гибкие подложки.

Сравнение технологических маршрутов ALD

Для выбора оптимального технологического процесса ниже представлена сравнительная матрица основных методов атомно-слоевого осаждения, поддерживаемых нашим оборудованием:

Технологический параметр	Термический ALD (Thermal-ALD)	CCP PE-ALD (Емкостная плазма)	ICP PE-ALD (Индуктивная плазма)
Принцип работы	Чисто термическая реакция, без использования плазмы	Емкостно-связанная плазма, низкая плотность плазмы	Индуктивно-связанная плазма, высокая плотность плазмы
Температура осаждения	Высокая (обычно 200–400 °C)	Низкая (может быть снижена до 50–200 °C)	Сверхнизкая (может быть ниже 50 °C)
Качество пленки	Высокая плотность и отличная однородность	Хорошее качество, но возможны точечные дефекты из-за ионной бомбардировки	Превосходное качество; высокоактивные радикалы улучшают стехиометрию
Ступенчатое покрытие (Aspect Ratio)	Экстремальное (>95% для глубоких 3D канавок)	Хорошее (>90%), зависит от пространственног о распределения плазмы	Хорошее (>90%), однородность распределения превосходит показатели CCP
Скорость осаждения	Относительно низкая	Средняя	Повышенная
Применяемые материалы	Широкий спектр материалов: оксиды, нитриды, металлы и др.	Чувствительные к температуре материалы (например, органические подложки)	Термочувствитель ные и трудноосаждаемы е материалы, требующие высокой химической активации
Плазменное повреждение	Полностью отсутствует	Возможно повреждение подложки или тонкой пленки ионами	Минимальное, благодаря контролируемой энергии ионов
Степень ионизации	—	Низкая	Высокая
Сложность оборудования	Низкая	Средняя	Высокая

ALD установки России

Мы предлагаем свою российскую альтернативу – установки молекулярного наслаивания «ИСКРА МН» по ОКР. Компания «ISKRA Engineering» проводит НИОКР по оптимизации процесса осаждения оксида гафния на пластинах 300 мм. на установке «УМН» исследовательского типа по стандартам SEMI:

Параметр	Значение
Объем реакционной камеры, л	1-30
Температура подложки, °С	до 350
Загрузка	вертикальная, ручная
Тип подложки	любые твердые или сыпучие материалы, любой 3D конфигурации
Автоматическое управление	PLC контроллер с LabView компьютерным интерфейсом
Реализуемые технологии	ALD или АСО Процесс осаждения тонких неорганических пленок путем циклических поверхностных реакций на поверхности подложки MLD или МСО Процесс осаждения тонких органических или органо-неорганических гибридных пленок путем циклических поверхностных реакций на поверхности подложки. ALE или АСТ Процесс травления тонких пленок путем циклических поверхностных реакций. Травление тонких пленок может проводиться как термическим методом, так и плазмо-стимулированным (ПС-АСТ) способом.
Рецептуры	по ТЗ заказчика
Количество прекурсоров	4
Получаемые покрытия	HfO2, Al₂O3, TiO2, ZrO2 и т.д. см выше.
Толщина покрытия, нм	до 100
Питание, В	380
Максимальная мощность, Вт	10
Габариты: ДхШхВ, мм	1500х820х2120
Масса, кг	620
Опция 1	Роботизированный загрузчик подложек
Опция 2	Стимулирование плазмой. ПС-АСО – это процесс осаждения тонких пленок, где для стимулирования поверхностных процессов (реакций) используются генерируемые источником плазмы высоко-реакционные ионы и радикалы.
Опция 3	Совмещение с FTIR для контроля качества ростовых структур in-situ
Опция 4	Совмещение с Эллипсометром для контроля качества ростовых структур in-situ

Приобретая у нас ALD установку заказчик дополнительно получает:

Профессиональное обучение : Предоставляется интенсивный 2-дневный курс технического и технологического обучения для персонала заказчика (включая теорию процессов ALD, программирование рецептов и практическое обслуживание вакуумной системы).
Служба оперативного сервиса 24/7 : Высококвалифицированная бригада инженеров готова вылететь на объект заказчика в кратчайшие сроки для проведения пусконаладочных работ, калибровки или планового ремонта. Поставим нужные прекурсоры в безопасной упаковке. Независимый контроль качества покрытий на безе аналитической лаборатории СПбГТИ
Гарантийные обязательства : В течение гарантийного периода все вышедшие из строя компоненты (при условии соблюдения правил эксплуатации и отсутствия механических повреждений со стороны персонала) подлежат оперативной бесплатной замене.
Контрактная разработка : Оказываем услуги по оптимизации технологических процессов осаждения, разработке новых рецептур, прекурсоров и синтезу специализированных наноструктур по запросу заказчика.

Полезные ссылки по теме ALD: