CVD системы

СVD системы были спроектированы и произведены с использованием наших технологий и разработок для крупномасштабного промышленного производства с возможностью сплошного in-situ контроля. СVD система обеспечивает исключительный контроль параметров процесса, повторяемость и согласованность между системами для выращивания структур полиморфного карбида кремния SiC диаметром 200 мм. Температура процесса сублимации поликристаллического кремния SiC до 2500 °C контролируется с точностью +/- 0,5 °C. Исходный материал и рост кристаллов SiC.

Наша архитектура CVD реактора и система управления ростовыми процессами позволяет точно контролировать температурные градиенты для оптимального роста SiC.

Технические возможности

• Высокая точность управления ростовым процессом карбида кремния для установившегося состояния и условий линейного изменения
• Динамический контроль температуры горячей зоны +/- 0,5°C
• Контроль давления +/- 0,5%
• Высокая степень повторяемости от цикла к запуску и согласования систем
• Стандартные и нестандартные конструкции CVD систем
• Изготовление на заказ кварцевой посуды
• Автоматическая загрузка субстрата в горячую зону
• Центрирование тигля
• Опция турбонасоса низкого давления
• Двойной видеопирометр, верхний и нижний
• Совместимость с плазменной стимуляцией роста
• Мощное программное обеспечение процессов роста SiC
• Интеграция предлагаемой CVD системы для вашей уже существующей системой роста

Готовые С VD системы «ISKRA Engineering» из Китая

Фото и чертежи