HVPE системы

Установки HVPE хлорид-гидридной газофазной эпитаксии выращивания объемных слоёв GaN нитрида галлия и AlN нитрида алюминия для промышленного производства, г. Санкт-Петербург

Ростовая установка включает в себя систему подачи газов, HVPE-реактор с вакуумным загрузочным шлюзом и устройства очистки отработанных газов. Реакционная камера — вертикальная, с горячими стенками, температура держателя подложки — до 1200 ºС. Диаметр подложки — 50 мм; неоднородность толщины осаждаемого слоя < 5 %. Скорость эпитаксиального роста GaN — до 400 мкм/ч.

Опции HVPE системы

HVPE система конфигурируется для выращивания ряда легированных и нелегированных эпитаксиальных кристаллов III/V.
Материалы включают GaN, GaAs, InP и т. д.
Источники легирующих примесей для легирования эпитаксиального слоя по мере его роста, с возможностью быстрого переключения
Многозонная печь (резистивный или ВЧ-индукционный нагрев)
Вертикальная технологическая труба с предкамерами для хлорирования
Вращение подложки для улучшения равномерности осаждения
Загрузочная станция с опциональным перчаточным боксом, продуваемым азотом
Шкафы подачи технологических газов
Глубокая очистка технологических газов
Нейтрализация выхлопных газов
Программное обеспечение для управления системой для управления процессами в реальном времени, построения графиков, регистрации данных и редактирования рецептов процессов
Создание рецептур по ТЗ заказчика с настройкой под требования конечного пользователя

Презентация HVPE реакторной системы.Pdf